Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / TGF2060
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBm
Характеристики
Тип транзистора pHEMT
Технология GaAs
Усиление 12 dB
Полярность транзистора Неизвестно
Vds - напряжение пробоя сток-исток 8 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 3 V
Id - непрерывный ток утечки 194 mA
Выходная мощность Неизвестно
Максимальное напряжение сток-затвор Неизвестно
Минимальная рабочая температура - 65 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Pd - рассеивание мощности 2.1 W
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок Неизвестно
Упаковка Gel Pack
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
