Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / QPD1015L
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN SiC
Усиление 20 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 50 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток 145 V
Id - непрерывный ток утечки 2.5 A
Выходная мощность 70 W
Максимальное напряжение сток-затвор Неизвестно
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 85 C
Pd - рассеивание мощности 64 W
Вид монтажа Screw Mount
Упаковка / блок NI-360
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
