Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / CGH27030S
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN
Усиление 18 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 84 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V, 2 V
Id - непрерывный ток утечки 7 A
Выходная мощность 30 W
Максимальное напряжение сток-затвор 28 V
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Pd - рассеивание мощности 21.6 W
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок Неизвестно
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару