Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / CGHV40030F
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN
Усиление 16 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток 2.6 V
Id - непрерывный ток утечки 4.2 A
Выходная мощность 30 W
Максимальное напряжение сток-затвор -
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Pd - рассеивание мощности -
Вид монтажа Screw Mount
Упаковка / блок 440166
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
