Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / QPD3601
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN SiC
Усиление 22 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 50 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток Неизвестно
Id - непрерывный ток утечки 360 mA
Выходная мощность 180 W
Максимальное напряжение сток-затвор 55 V
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 85 C
Pd - рассеивание мощности 60.9 W
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок NI400-2
Упаковка Waffle
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
