TGF2025

Тип транзистора pHEMT

Технология GaAs

Усиление 14 dB

Полярность транзистора Неизвестно

Vds - напряжение пробоя сток-исток 8 V

Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 15 V

Id - непрерывный ток утечки 81 mA

Выходная мощность Неизвестно

Максимальное напряжение сток-затвор 12 V

Минимальная рабочая температура - 65 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 890 mW

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок Неизвестно

Упаковка Gel Pack