Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / NPT1012B
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN Si
Усиление 13 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток 3 V
Id - непрерывный ток утечки 4 mA
Выходная мощность Неизвестно
Максимальное напряжение сток-затвор Неизвестно
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура + 200 C
Pd - рассеивание мощности 44 W
Вид монтажа Screw Mount
Упаковка / блок Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару