GTVA104001FA-V1-R0

Тип транзистора HEMT

Технология GaN SiC

Усиление 19 dB

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V

Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V to 2 V

Id - непрерывный ток утечки 4.6 A

Выходная мощность 400 W

Максимальное напряжение сток-затвор -

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура Неизвестно

Pd - рассеивание мощности Неизвестно

Вид монтажа Flange Mount

Упаковка / блок H-37265J-2

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel