Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / TGF2965-SM
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN SiC
Усиление 18 dB
Полярность транзистора P-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 32 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 2.7 V
Id - непрерывный ток утечки 600 mA
Выходная мощность 6 W
Максимальное напряжение сток-затвор -
Минимальная рабочая температура -
Максимальная рабочая температура -
Pd - рассеивание мощности 7.5 W
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок QFN-16
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
