Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / TGF2979-SM
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN SiC
Усиление 11 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 32 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 2.7 V
Id - непрерывный ток утечки 1.8 A
Выходная мощность 22 W
Максимальное напряжение сток-затвор Неизвестно
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура + 225 C
Pd - рассеивание мощности 49 W
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок QFN-20
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
