Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / T1G2028536-FL
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN SiC
Усиление 20.8 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 36 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток 145 V
Id - непрерывный ток утечки 24 A
Выходная мощность 260 W
Максимальное напряжение сток-затвор 48 V
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура + 275 C
Pd - рассеивание мощности 288 W
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
