CGHV40180F

Тип транзистора HEMT

Технология GaN

Усиление 20.3 dB

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 125 V

Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V, 2 V

Id - непрерывный ток утечки 18 A

Выходная мощность 180 W

Максимальное напряжение сток-затвор -

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 150 W

Вид монтажа Screw Mount

Упаковка / блок 440223

Упаковка Tray