TGF2120

Тип транзистора pHEMT

Технология GaAs

Усиление 11 dB

Полярность транзистора Неизвестно

Vds - напряжение пробоя сток-исток 8 V

Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 12 V

Id - непрерывный ток утечки 194 mA

Выходная мощность Неизвестно

Максимальное напряжение сток-затвор Неизвестно

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 4.2 W

Вид монтажа Неизвестно

Упаковка / блок Die

Упаковка Gel Pack