Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / TGF2953
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN SiC
Усиление 18.2 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 32 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток Неизвестно
Id - непрерывный ток утечки 820 mA
Выходная мощность 41.6 dBm
Максимальное напряжение сток-затвор 100 V
Минимальная рабочая температура - 65 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Pd - рассеивание мощности 17 W
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок Die
Упаковка Gel Pack
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
