Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / GTVA123501FA-V1-R0
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 350W
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN SiC
Усиление 18 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V to 2 V
Id - непрерывный ток утечки 15 A
Выходная мощность 350 W
Максимальное напряжение сток-затвор -
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура Неизвестно
Pd - рассеивание мощности Неизвестно
Вид монтажа Flange Mount
Упаковка / блок H-37265J-2
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
