Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / QPD2195SR
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN SiC
Усиление 20.4 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток Неизвестно
Vds - напряжение пробоя затвор-исток Неизвестно
Id - непрерывный ток утечки Неизвестно
Выходная мощность 400 W
Максимальное напряжение сток-затвор 55 V
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура Неизвестно
Pd - рассеивание мощности Неизвестно
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок NI780-2
Упаковка Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
