TGF2954

Тип транзистора HEMT

Технология GaN SiC

Усиление 19.6 dB

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 32 V

Vds - напряжение пробоя затвор-исток Неизвестно

Id - непрерывный ток утечки 1.7 A

Выходная мощность 44.5 dBm

Максимальное напряжение сток-затвор Неизвестно

Минимальная рабочая температура - 65 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 34.5 W

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок Die

Упаковка Gel Pack