CGHV27015S

Тип транзистора HEMT

Технология GaN

Усиление 21.2 dB

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V

Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V, 2 V

Id - непрерывный ток утечки 1.78 A

Выходная мощность 15 W

Максимальное напряжение сток-затвор 50 V

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 5 W

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок DFN-12

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel