QPD1025L

Тип транзистора HEMT

Технология GaN SiC

Усиление 22.9 dB

Полярность транзистора Неизвестно

Vds - напряжение пробоя сток-исток Неизвестно

Vds - напряжение пробоя затвор-исток Неизвестно

Id - непрерывный ток утечки 28 A

Выходная мощность 1.5 kW

Максимальное напряжение сток-затвор 225 V

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 85 C

Pd - рассеивание мощности 758 W

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок NI-1230-4

Упаковка Tray