QPD1018

Тип транзистора HEMT

Технология GaN SiC

Усиление 17.7 dB

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 145 V

Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 7 V to 2 V

Id - непрерывный ток утечки 15 A

Выходная мощность Неизвестно

Максимальное напряжение сток-затвор 55 V

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 85 C

Pd - рассеивание мощности 522 W

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок 17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm

Упаковка Неизвестно