Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / CG2H30070F-TB2
Нет ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Test Board without GaN HEMT
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN
Усиление 12 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 120 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V, 2 V
Id - непрерывный ток утечки 12 A
Выходная мощность 85 W
Максимальное напряжение сток-затвор 28 V
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Pd - рассеивание мощности Неизвестно
Вид монтажа Screw Mount
Упаковка / блок CG2H30070F
Упаковка Bulk
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
