CGHV59070F

Тип транзистора HEMT

Технология GaN

Усиление 14 dB

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V

Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V, 2 V

Id - непрерывный ток утечки 6.3 A

Выходная мощность 76 W

Максимальное напряжение сток-затвор -

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности -

Вид монтажа Screw Mount

Упаковка / блок 440224

Упаковка Tray