Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / CGHV1F025S
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN SiC
Усиление 11 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V to 2 V
Id - непрерывный ток утечки 2 A
Выходная мощность 25 W
Максимальное напряжение сток-затвор -
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Pd - рассеивание мощности -
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок DFN-12
Упаковка Cut Tape, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
