Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / CG2H80060D-GP4
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 60 Watt
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN
Усиление 15 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 120 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V, 2 V
Id - непрерывный ток утечки 6 A
Выходная мощность 60 W
Максимальное напряжение сток-затвор -
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура + 225 C
Pd - рассеивание мощности -
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок Die
Упаковка Gel Pack
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
