QPD1013SR

Тип транзистора HEMT

Технология GaN SiC

Усиление 21.8 dB

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток Неизвестно

Vds - напряжение пробоя затвор-исток Неизвестно

Id - непрерывный ток утечки 1.7 A

Выходная мощность 178 W

Максимальное напряжение сток-затвор 65 V

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 85 C

Pd - рассеивание мощности 67 W

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок DFN-6

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel