Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / QPD1009
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN SiC
Усиление 24 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 50 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток 145 V
Id - непрерывный ток утечки 700 mA
Выходная мощность 17 W
Максимальное напряжение сток-затвор Неизвестно
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 85 C
Pd - рассеивание мощности 17.5 W
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок QFN-16
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
