QPD1022SR

Тип транзистора HEMT

Технология GaN SiC

Усиление 24 dB

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 32 V

Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 2.8 V

Id - непрерывный ток утечки 610 mA

Выходная мощность 10 W

Максимальное напряжение сток-затвор Неизвестно

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 85 C

Pd - рассеивание мощности 13.8 W

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок QFN-16

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel