Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / CGHV50200F
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN
Усиление 11.5 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V to 2 V
Id - непрерывный ток утечки 17 A
Выходная мощность 180 W
Максимальное напряжение сток-затвор -
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Pd - рассеивание мощности -
Вид монтажа Screw Mount
Упаковка / блок 4402015
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
