QPD2730

Тип транзистора HEMT

Технология GaN SiC

Усиление 16 dB

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 48 V

Vds - напряжение пробоя затвор-исток Неизвестно

Id - непрерывный ток утечки 210 mA

Выходная мощность 36 W

Максимальное напряжение сток-затвор 55 V

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 85 C

Pd - рассеивание мощности 18.6 W

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок NI780-4

Упаковка Waffle