Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / T2G6000528-Q3
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN SiC
Усиление 15 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток -
Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
Id - непрерывный ток утечки 650 mA
Выходная мощность 10 W
Максимальное напряжение сток-затвор -
Минимальная рабочая температура -
Максимальная рабочая температура -
Pd - рассеивание мощности 12.5 W
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
