Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / CGHV40200PP
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN
Усиление 16.1 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V, 2 V
Id - непрерывный ток утечки 8.7 A
Выходная мощность 250 W
Максимальное напряжение сток-затвор -
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Pd - рассеивание мощности 166 W
Вид монтажа Screw Mount
Упаковка / блок 440199
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
