Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / CGH09120F
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN
Усиление 21 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 120 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V, 2 V
Id - непрерывный ток утечки 28 A
Выходная мощность 20 W
Максимальное напряжение сток-затвор 28 V
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Pd - рассеивание мощности 56 W
Вид монтажа Screw Mount
Упаковка / блок Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
