Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / GTVA263202FC-V1-R2
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом RF LDMOS FET
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN SiC
Усиление 17 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток Неизвестно
Id - непрерывный ток утечки 7.5 A
Выходная мощность 340 W
Максимальное напряжение сток-затвор Неизвестно
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура + 225 C
Pd - рассеивание мощности Неизвестно
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок H-37248-4
Упаковка Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
