Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / CGHV1J006D-GP4
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN
Усиление 17 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V to 2 V
Id - непрерывный ток утечки 0.8 A
Выходная мощность 6 W
Максимальное напряжение сток-затвор -
Минимальная рабочая температура -
Максимальная рабочая температура -
Pd - рассеивание мощности -
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок Die
Упаковка Gel Pack
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
