Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / TGF2819-FL
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN SiC
Усиление 14 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 32 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 2.9 V
Id - непрерывный ток утечки 7.32 A
Выходная мощность 100 W
Максимальное напряжение сток-затвор 145 V
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 85 C
Pd - рассеивание мощности 86 W
Вид монтажа Screw Mount
Упаковка / блок Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
