TGF2955

Тип транзистора HEMT

Технология GaN SiC

Усиление 19.2 dB

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 32 V

Vds - напряжение пробоя затвор-исток Неизвестно

Id - непрерывный ток утечки 2.5 A

Выходная мощность 46.4 dBm

Максимальное напряжение сток-затвор 100 V

Минимальная рабочая температура - 65 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 41 W

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок Die

Упаковка Gel Pack