CG2H40010F

Тип транзистора HEMT

Технология GaN

Усиление 16.5 dB

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 120 V

Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V, 2 V

Id - непрерывный ток утечки 1.5 A

Выходная мощность 10 W

Максимальное напряжение сток-затвор -

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности -

Вид монтажа Screw Mount

Упаковка / блок 440166

Упаковка Tray