Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / T1G4020036-FL
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN SiC
Усиление 16 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток Неизвестно
Vds - напряжение пробоя затвор-исток Неизвестно
Id - непрерывный ток утечки Неизвестно
Выходная мощность 260 W
Максимальное напряжение сток-затвор Неизвестно
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура Неизвестно
Pd - рассеивание мощности Неизвестно
Вид монтажа Неизвестно
Упаковка / блок Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
