QPD1881L

Тип транзистора HEMT

Технология GaN SiC

Усиление 21.2 dB

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 145 V

Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 7 V to 2 V

Id - непрерывный ток утечки 13 A

Выходная мощность Неизвестно

Максимальное напряжение сток-затвор 55 V

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 85 C

Pd - рассеивание мощности 237 W

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок NI780-2

Упаковка Неизвестно