Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / QPD1016
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 500 Watt, 50 Volt, DC-1.7 GHz, GaN RF Transistor
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN SiC
Усиление 23.9 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 145 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 7 V to 1.5 V
Id - непрерывный ток утечки 70 A
Выходная мощность 680 W
Максимальное напряжение сток-затвор 55 V
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 85 C
Pd - рассеивание мощности 714 W
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок NI780-2
Упаковка Неизвестно
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару