Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / CGHV27060MP
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN
Усиление 18.5 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V to 2 V
Id - непрерывный ток утечки 6.3 A
Выходная мощность 60 W
Максимальное напряжение сток-затвор -
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 90 C
Pd - рассеивание мощности -
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок QSOP-20
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару