BF 888 H6327

Серия BF888

Тип транзистора Bipolar Power

Технология Si

Полярность транзистора NPN

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe 250

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 4 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 13 V

Непрерывный коллекторный ток 30 mA

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Конфигурация Single

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-343

Квалификация Неизвестно

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel