D3S080N65E-T

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TO-263-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V

Id - непрерывный ток утечки 29.1 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 80 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.3 V

Vgs - напряжение затвор-исток 30 V

Qg - заряд затвора 77 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 134 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение Неизвестно

Упаковка Reel