SI4532CDY-T1-GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SO-8

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel, P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V

Id - непрерывный ток утечки 4.3 A, 6 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 47 mOhms, 89 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V

Vgs - напряжение затвор-исток 10 V

Qg - заряд затвора 6 nC, 7.8 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 2.78 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение TrenchFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel