SI1016X-T1-GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-563-6

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel, P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток Неизвестно

Id - непрерывный ток утечки 400 mA, 600 mA

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 750 mOhms, 1.2 Ohms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 450 mV

Vgs - напряжение затвор-исток 4.5 V

Qg - заряд затвора 750 pC, 1500 pC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 280 mW, 280 mW

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение TrenchFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel