SI4816BDY-T1-GE3

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SO-8

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток Неизвестно

Id - непрерывный ток утечки 6.8 A, 11.4 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 11.5 mOhms, 18.5 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V

Vgs - напряжение затвор-исток 10 V

Qg - заряд затвора 7.8 nC, 11.6 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 1.4 W, 2.4 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение TrenchFET

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel