IXFT80N65X2HV

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TO-268HV-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V

Id - непрерывный ток утечки 80 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 38 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.5 V

Vgs - напряжение затвор-исток 10 V

Qg - заряд затвора 140 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 890 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение HiPerFET

Упаковка Tube