PMDPB58UPE,115

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок DFN-2020-6

Количество каналов 2 Channel

Полярность транзистора P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V

Id - непрерывный ток утечки 4.5 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 58 mOhms, 58 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 950 mV

Vgs - напряжение затвор-исток 8 V

Qg - заряд затвора 9.5 nC, 9.5 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 1.21 W

Конфигурация Dual

Канальный режим Enhancement

Квалификация Неизвестно

Коммерческое обозначение Неизвестно

Упаковка Cut Tape, Reel