NVB082N65S3F

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок D2PAK-3

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V

Id - непрерывный ток утечки 40 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 82 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V

Vgs - напряжение затвор-исток 30 V

Qg - заряд затвора 81 nC

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 313 W

Конфигурация Single

Канальный режим Enhancement

Квалификация AEC-Q101

Коммерческое обозначение SuperFET III

Упаковка Cut Tape, Reel