Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / МОП-транзистор / SCTW90N65G2V
Есть ROHS
Описание:
МОП-транзистор Silicon carbide Power МОП-транзистор 650 V, 90 A, 22 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
Характеристики
Технология SiC
Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок HIP247-3
Количество каналов 1 Channel
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
Id - непрерывный ток утечки 90 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 25 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.9 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V to 22 V
Qg - заряд затвора 157 nC
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 200 C
Pd - рассеивание мощности 390 W
Конфигурация Single
Канальный режим Enhancement
Квалификация Неизвестно
Коммерческое обозначение Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару